Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4448WS-E3-08

KEY Part #: K6440012

1N4448WS-E3-08 Hinnoittelu (USD) [2895399kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.01348
  • 15,000 pcs$0.01342

Osa numero:
1N4448WS-E3-08
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - erityistarkoitus, Tehonohjaimen moduulit and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4448WS-E3-08 electronic components. 1N4448WS-E3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4448WS-E3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4448WS-E3-08 Tuoteominaisuudet

Osa numero : 1N4448WS-E3-08
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 75V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 150mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 720mV @ 5mA
Nopeus : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) : 4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 75V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SC-76, SOD-323
Toimittajalaitteen paketti : SOD-323
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • MMBD1501A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • BAV20W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • SD103BW-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM AUTO

  • 1N4151W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 500mA 2ns

  • 1N4150W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns