IXYS - IXTP34N65X2

KEY Part #: K6394560

IXTP34N65X2 Hinnoittelu (USD) [22589kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.82450

Osa numero:
IXTP34N65X2
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - SCR: t, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - JFET and Transistorit - IGBT - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTP34N65X2 electronic components. IXTP34N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP34N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP34N65X2 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTP34N65X2
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 34A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 96 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 540W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220AB
Paketti / asia : TO-220-3