Microsemi Corporation - JAN1N3673A

KEY Part #: K6443945

Yksityiskohtainen kuvaus:: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA. Rectifiers Rectifier

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Tiristorit - TRIACit, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tehonohjaimen moduulit and Diodit - Zener - Arrays ...

Kilpailuetu:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N3673A electronic components. JAN1N3673A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N3673A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : JAN1N3673A

Valmistaja : Microsemi Corporation

Kuvaus : DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Sarja : Military, MIL-PRF-19500/260

Osan tila : Active

Diodin tyyppi : Standard

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 800V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 12A

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.35V @ 38A

Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : -

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 800V

Kapasitanssi @ Vr, F : -

Asennustyyppi : Chassis, Stud Mount

Paketti / asia : DO-203AA, DO-4, Stud

Toimittajalaitteen paketti : DO-203AA (DO-4)

Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut

BAS16-D87Z

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.
VS-HFA08TA60C-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.
VSB1545-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600.
VS-8ETU04STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 8A TO262.
VS-MBRB1045PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK.
VS-20ETF10STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC.

Kuumat osat