IXYS - IXFT80N65X2HV

KEY Part #: K6395216

IXFT80N65X2HV Hinnoittelu (USD) [9309kpl varastossa]

  • 1 pcs$4.42683

Osa numero:
IXFT80N65X2HV
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - JFET, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXFT80N65X2HV electronic components. IXFT80N65X2HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT80N65X2HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT80N65X2HV Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXFT80N65X2HV
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH
Sarja : HiPerFET™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 8300pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 890W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : TO-268HV
Paketti / asia : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA