Infineon Technologies - 6MS24017E33W32860NOSA1

KEY Part #: K6532484

6MS24017E33W32860NOSA1 Hinnoittelu (USD) [2kpl varastossa]

  • 1 pcs$8449.92191

Osa numero:
6MS24017E33W32860NOSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MODULE IGBT STACK A-MS3-1.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - JFET, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Transistorit - IGBT - moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies 6MS24017E33W32860NOSA1 electronic components. 6MS24017E33W32860NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 6MS24017E33W32860NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

6MS24017E33W32860NOSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : 6MS24017E33W32860NOSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MODULE IGBT STACK A-MS3-1
Sarja : ModSTACK™ 3
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : -
kokoonpano : Three Phase Inverter
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : -
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : -
Teho - Max : -
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 1200A
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : -
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : -
panos : Standard
NTC-termistori : No
Käyttölämpötila : -25°C ~ 55°C
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : Module
Toimittajalaitteen paketti : Module

Saatat myös olla kiinnostunut
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.