STMicroelectronics - STN2NE10

KEY Part #: K6415695

[12321kpl varastossa]


    Osa numero:
    STN2NE10
    Valmistaja:
    STMicroelectronics
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - Yksittäiset and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in STMicroelectronics STN2NE10 electronic components. STN2NE10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STN2NE10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STN2NE10 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : STN2NE10
    Valmistaja : STMicroelectronics
    Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
    Sarja : STripFET™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 305pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 2.5W (Tc)
    Käyttölämpötila : 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : SOT-223
    Paketti / asia : TO-261-4, TO-261AA