Taiwan Semiconductor Corporation - ESH2BA R3G

KEY Part #: K6426660

ESH2BA R3G Hinnoittelu (USD) [627828kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05891

Osa numero:
ESH2BA R3G
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1A, 100V, SUPER FAST SM RECTIFIER
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ESH2BA R3G electronic components. ESH2BA R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH2BA R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH2BA R3G Tuoteominaisuudet

Osa numero : ESH2BA R3G
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 25ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • MUR110RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. Rectifiers 100V 1A UltraFast

  • RS1BB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 100V

  • RS2M-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 1000V

  • RS1GB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 400V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 400V

  • RS2B-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 100V

  • PR1501-T

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15. Rectifiers 1.5A 50V