Microsemi Corporation - JANTX1N5190

KEY Part #: K6442748

JANTX1N5190 Hinnoittelu (USD) [4250kpl varastossa]

  • 1 pcs$10.54007
  • 10 pcs$9.58104
  • 25 pcs$8.86256
  • 100 pcs$7.74662
  • 250 pcs$7.06310

Osa numero:
JANTX1N5190
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL. Rectifiers Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - JFET and Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5190 electronic components. JANTX1N5190 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5190, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5190 Tuoteominaisuudet

Osa numero : JANTX1N5190
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/424
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 400ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 2µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : B, Axial
Toimittajalaitteen paketti : -
Käyttölämpötila - liitos : -

Saatat myös olla kiinnostunut
  • LXA08B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 8A Low Qrr

  • VS-MBRD320PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK.

  • VS-8EWS12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS16SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252.

  • VS-8EWF12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252.