Osa numero :
IPD034N06N3GATMA1
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
11000pF @ 30V
Tehon hajautus (max) :
167W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PG-TO252-3
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63