IXYS - IXFQ14N80P

KEY Part #: K6394876

IXFQ14N80P Hinnoittelu (USD) [21647kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.10468
  • 30 pcs$2.09421

Osa numero:
IXFQ14N80P
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - erityistarkoitus and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXFQ14N80P electronic components. IXFQ14N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ14N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ14N80P Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXFQ14N80P
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
Sarja : HiPerFET™, PolarHT™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 800V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 720 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3900pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 400W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-3P
Paketti / asia : TO-3P-3, SC-65-3