1N4448WQ-7-F Hinnoittelu (USD) [2141057kpl varastossa]
- 1 pcs$0.01728
- 3,000 pcs$0.01601
- 6,000 pcs$0.01392
- 15,000 pcs$0.01183
- 30,000 pcs$0.01114
- 75,000 pcs$0.01044
- 150,000 pcs$0.00905
- Osa numero:
- 1N4448WQ-7-F
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100Vrm Fast Switch 75Vrrm 53Vr 400mW
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Zener - Arrays, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - JFET and Diodit - RF ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N4448WQ-7-F electronic components. 1N4448WQ-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4448WQ-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4448WQ-7-F Tuoteominaisuudet
Osa numero :
1N4448WQ-7-F
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
75V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
250mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
25nA @ 20V
Kapasitanssi @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SOD-123
Toimittajalaitteen paketti :
SOD-123
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
Kuumat osat
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF