IXYS - IXTT8P50

KEY Part #: K6394945

IXTT8P50 Hinnoittelu (USD) [15675kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.90633
  • 30 pcs$2.89187

Osa numero:
IXTT8P50
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH 500V 8A TO-268.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - RF, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - SCR: t, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Tehonohjaimen moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTT8P50 electronic components. IXTT8P50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT8P50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT8P50 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTT8P50
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET P-CH 500V 8A TO-268
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3400pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 180W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : TO-268
Paketti / asia : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA