IXYS - IXFR32N100P

KEY Part #: K6395634

IXFR32N100P Hinnoittelu (USD) [5981kpl varastossa]

  • 1 pcs$8.37054
  • 30 pcs$8.32890

Osa numero:
IXFR32N100P
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Zener - Arrays and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXFR32N100P electronic components. IXFR32N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR32N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR32N100P Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXFR32N100P
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Sarja : HiPerFET™, PolarP2™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1000V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 14200pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 320W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : ISOPLUS247™
Paketti / asia : ISOPLUS247™