Osa numero :
IPB160N04S2L03ATMA2
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH TO262-7
Sarja :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Osan tila :
Discontinued at Digi-Key
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
160A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
230nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
6000pF @ 15V
Tehon hajautus (max) :
300W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PG-TO263-7-3
Paketti / asia :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)