ON Semiconductor - FDU6N50TU

KEY Part #: K6420252

FDU6N50TU Hinnoittelu (USD) [174560kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.21295
  • 5,040 pcs$0.21189

Osa numero:
FDU6N50TU
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 6A IPAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Zener - Arrays, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Zener - Single and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor FDU6N50TU electronic components. FDU6N50TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDU6N50TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDU6N50TU Tuoteominaisuudet

Osa numero : FDU6N50TU
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
Sarja : UniFET™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 940pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 89W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : I-PAK
Paketti / asia : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Saatat myös olla kiinnostunut