1N5408G-T Hinnoittelu (USD) [714995kpl varastossa]
- 1 pcs$0.05173
- 1,200 pcs$0.04699
- 2,400 pcs$0.04307
- 6,000 pcs$0.04046
- 12,000 pcs$0.03785
- 30,000 pcs$0.03472
- Osa numero:
- 1N5408G-T
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD. Rectifiers 3.0A 1000V
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - SCR-moduulit, Tiristorit - TRIACit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N5408G-T electronic components. 1N5408G-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5408G-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5408G-T Tuoteominaisuudet
Osa numero :
1N5408G-T
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
1000V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 3A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
2µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapasitanssi @ Vr, F :
40pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-201AD, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
DO-201AD
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
BAS19-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
Kuumat osat
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18