ON Semiconductor - FQB44N10TM

KEY Part #: K6392935

FQB44N10TM Hinnoittelu (USD) [96657kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.40453
  • 800 pcs$0.39276

Osa numero:
FQB44N10TM
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - JFET and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor FQB44N10TM electronic components. FQB44N10TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB44N10TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB44N10TM Tuoteominaisuudet

Osa numero : FQB44N10TM
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Sarja : QFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 43.5A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 21.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : D²PAK (TO-263AB)
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Saatat myös olla kiinnostunut