MMBD914LT1G Hinnoittelu (USD) [4732865kpl varastossa]
- 1 pcs$0.00792
- 3,000 pcs$0.00788
- 6,000 pcs$0.00710
- 15,000 pcs$0.00618
- 30,000 pcs$0.00556
- 75,000 pcs$0.00494
- 150,000 pcs$0.00411
- Osa numero:
- MMBD914LT1G
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 200mA
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Tiristorit - TRIACit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor MMBD914LT1G electronic components. MMBD914LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBD914LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MMBD914LT1G Tuoteominaisuudet
Osa numero :
MMBD914LT1G
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
200mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 10mA
Nopeus :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) :
4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 75V
Kapasitanssi @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti :
SOT-23-3 (TO-236)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAS40-00-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40 Volt 200mA
-
BAS70-00-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single AUTO
-
BAS70-00-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single
-
BAS70-00-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single
Kuumat osat
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54