VT3080S-E3/4W Hinnoittelu (USD) [67768kpl varastossa]
- 1 pcs$0.57698
- 2,000 pcs$0.22668
- Osa numero:
- VT3080S-E3/4W
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VT3080S-E3/4W electronic components. VT3080S-E3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VT3080S-E3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VT3080S-E3/4W Tuoteominaisuudet
Osa numero :
VT3080S-E3/4W
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB
Sarja :
TMBS®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
80V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
30A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
950mV @ 30A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
1mA @ 80V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
TO-220-3
Toimittajalaitteen paketti :
TO-220AB
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
VS-8EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns
-
VS-6EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns
-
VS-8EWF12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-15EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns
-
VS-8EWS08STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH
Kuumat osat
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR