Nexperia USA Inc. - PSMN4R1-60YLX

KEY Part #: K6420122

PSMN4R1-60YLX Hinnoittelu (USD) [162078kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.22821
  • 1,500 pcs$0.19251

Osa numero:
PSMN4R1-60YLX
Valmistaja:
Nexperia USA Inc.
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - JFET, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Zener - Arrays and Tiristorit - SCR-moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN4R1-60YLX electronic components. PSMN4R1-60YLX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN4R1-60YLX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R1-60YLX Tuoteominaisuudet

Osa numero : PSMN4R1-60YLX
Valmistaja : Nexperia USA Inc.
Kuvaus : MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Sarja : TrenchMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 100A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 103nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 7853pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 238W (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : LFPAK56, Power-SO8
Paketti / asia : SC-100, SOT-669