Osa numero :
SI4618DY-T1-E3
Valmistaja :
Vishay Siliconix
Kuvaus :
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
FET-tyyppi :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-ominaisuus :
Standard
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
8A, 15.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1535pF @ 15V
Teho - Max :
1.98W, 4.16W
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajalaitteen paketti :
8-SO