NXP USA Inc. - BUK7E07-55B,127

KEY Part #: K6415230

[8348kpl varastossa]


    Osa numero:
    BUK7E07-55B,127
    Valmistaja:
    NXP USA Inc.
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - SCR: t, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - JFET and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK7E07-55B,127 electronic components. BUK7E07-55B,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK7E07-55B,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK7E07-55B,127 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : BUK7E07-55B,127
    Valmistaja : NXP USA Inc.
    Kuvaus : MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
    Sarja : TrenchMOS™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 55V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.1 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3760pF @ 25V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 203W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Through Hole
    Toimittajalaitteen paketti : I2PAK
    Paketti / asia : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA