CMH07(TE12L,Q,M) Hinnoittelu (USD) [494560kpl varastossa]
- 1 pcs$0.07479
- Osa numero:
- CMH07(TE12L,Q,M)
- Valmistaja:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT. Rectifiers Switching Diode HED 2A 200V 35ns
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CMH07(TE12L,Q,M) electronic components. CMH07(TE12L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CMH07(TE12L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CMH07(TE12L,Q,M) Tuoteominaisuudet
Osa numero :
CMH07(TE12L,Q,M)
Valmistaja :
Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
2A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
980mV @ 2A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
100ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
10µA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SOD-128
Toimittajalaitteen paketti :
M-FLAT (2.4x3.8)
Käyttölämpötila - liitos :
-40°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
SB250-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 2A 50V DO-41. Schottky Diodes & Rectifiers 2A, 50V, AXIAL, SCHOTTKY RECT
-
SB220-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM
-
VS-6ESU06HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Ultrafst Rct 6A 600V AEC-Q101
-
AR3PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 400V 1.8A TO277A. Rectifiers 3A 400V
-
SS12P2L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12 Amp 20 Volt 280 Amp IFSM
-
AS3PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 1KV 2.1A TO277. Rectifiers 3A,1000V,STD, Avalanche SM
Kuumat osat
- FES8JT-13HE3/45
- SF10FG-A
- MBR3100VP-G1
- F1842D1600
- R6012625XXYA
- VS-50SQ100G
- GP10A-M3/73
- VSB1545-M3/54
- RU 4
- MSG105
- VS-HFA08TB120SPBF
- GP02-30-E3/73
- STPS20M60ST
- SS3P6-E3/84A
- S1MHE3/61T
- S1DHE3/5AT
- RGP15MHE3/54
- MP805-E3/54
- BYD33GGP-E3/54
- AGP15-600HE3/54
- GP08DHE3/73
- BA159GPHE3/73
- R5100610XXWA
- GL34J-TP
- SBL850
- SIDC01D120H6
- ISL9R460S3ST
- CRS04(TE85L)
- 8TQ080STRR
- 15TQ060STRR
- B560C-13
- RL204-T
- MBR1645H
- RL252M-TP
- ESH2DHE3_A/I
- GF1GHE3/5CA
- GP02-40-E3/54
- RGP02-14E-E3/54
- SE10PJHM3/84A
- BAS29,215