Infineon Technologies - FF600R07ME4B11BOSA1

KEY Part #: K6533185

FF600R07ME4B11BOSA1 Hinnoittelu (USD) [580kpl varastossa]

  • 1 pcs$80.05666

Osa numero:
FF600R07ME4B11BOSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
IGBT MODULE VCES 600V 600A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - IGBT - moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies FF600R07ME4B11BOSA1 electronic components. FF600R07ME4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF600R07ME4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF600R07ME4B11BOSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : FF600R07ME4B11BOSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : IGBT MODULE VCES 600V 600A
Sarja : -
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : Trench Field Stop
kokoonpano : 2 Independent
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 650V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 700A
Teho - Max : 1800W
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 600A
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : 1mA
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : 37nF @ 25V
panos : Standard
NTC-termistori : Yes
Käyttölämpötila : -40°C ~ 150°C
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : Module
Toimittajalaitteen paketti : Module