Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
9.7A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
13.2nC @ 5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
1333pF @ 20V
Tehon hajautus (max) :
1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-220AB
Paketti / asia :
TO-220-3