Infineon Technologies - IRFB61N15DPBF

KEY Part #: K6392593

IRFB61N15DPBF Hinnoittelu (USD) [32358kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.22074
  • 10 pcs$1.04776
  • 100 pcs$0.84180
  • 500 pcs$0.65474
  • 1,000 pcs$0.54250

Osa numero:
IRFB61N15DPBF
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IRFB61N15DPBF electronic components. IRFB61N15DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB61N15DPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB61N15DPBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRFB61N15DPBF
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
Sarja : HEXFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 150V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3470pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220AB
Paketti / asia : TO-220-3