Micron Technology Inc. - MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

KEY Part #: K936827

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Hinnoittelu (USD) [15176kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.03444
  • 2,000 pcs$3.01935

Osa numero:
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
Valmistaja:
Micron Technology Inc.
Yksityiskohtainen kuvaus:
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA. DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: PMIC - Näyttöohjaimet, Liitäntä - Serializers, Deserializers, PMIC - LED-ajurit, Sulautetut - mikrokontrollerit, PMIC - Gate Drivers, PMIC - Voltage Regulators - Linear Regulator Contr, PMIC - RMS DC - muuntimiin and PMIC - Moottoriajurit, ohjaimet ...
Kilpailuetu:
We specialize in Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR electronic components. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT47H32M16NF-25E AUT:H TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Tuoteominaisuudet

Osa numero : MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
Valmistaja : Micron Technology Inc.
Kuvaus : IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Sarja : -
Osan tila : Last Time Buy
Muistityyppi : Volatile
Muistimuoto : DRAM
tekniikka : SDRAM - DDR2
Muistin koko : 512Mb (32M x 16)
Kellotaajuus : 400MHz
Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 15ns
Kirjautumisaika : 400ps
Muistiliitäntä : Parallel
Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.9V
Käyttölämpötila : -40°C ~ 125°C (TC)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 84-TFBGA
Toimittajalaitteen paketti : 84-FBGA (8x12.5)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16