FFSH2065BDN-F085 Hinnoittelu (USD) [16849kpl varastossa]
- 1 pcs$2.44588
- Osa numero:
- FFSH2065BDN-F085
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- 650V 20A SIC SBD GEN1.5. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A SIC SBD
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tiristorit - TRIACit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor FFSH2065BDN-F085 electronic components. FFSH2065BDN-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FFSH2065BDN-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FFSH2065BDN-F085 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
FFSH2065BDN-F085
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
650V 20A SIC SBD GEN1.5
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
650V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
10A (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 10A
Nopeus :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
0ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
40µA @ 650V
Kapasitanssi @ Vr, F :
421pF @ 1V, 100kHz
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
TO-247-3
Toimittajalaitteen paketti :
TO-247-3
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
CDBDSC5650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
-
CDBDSC3650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V
-
CDBDSC51200-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V
-
VS-60APU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins
-
VS-60APU06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp
-
VS-60APH03-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt
Kuumat osat
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54