Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG20J-M3/TR

KEY Part #: K6439721

BYG20J-M3/TR Hinnoittelu (USD) [726097kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05184
  • 14,400 pcs$0.05158

Osa numero:
BYG20J-M3/TR
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V,75nS SF Avalanche SMD
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Zener - Single, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - SCR: t and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG20J-M3/TR electronic components. BYG20J-M3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG20J-M3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG20J-M3/TR Tuoteominaisuudet

Osa numero : BYG20J-M3/TR
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Avalanche
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.5A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 75ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BYG22B-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • BYG10G-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5A,400V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG10J-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG10M-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG10G-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt