IXYS - IXTH62N65X2

KEY Part #: K6392619

IXTH62N65X2 Hinnoittelu (USD) [11132kpl varastossa]

  • 1 pcs$4.07207
  • 10 pcs$3.66486
  • 100 pcs$3.01333
  • 500 pcs$2.52468
  • 1,000 pcs$2.19892

Osa numero:
IXTH62N65X2
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 62A TO-247.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - JFET, Diodit - Zener - Single and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTH62N65X2 electronic components. IXTH62N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH62N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH62N65X2 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTH62N65X2
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 650V 62A TO-247
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 62A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 104nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 5940pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 780W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-247
Paketti / asia : TO-247-3