Vishay Semiconductor Diodes Division - GP10ME-E3/54

KEY Part #: K6458014

GP10ME-E3/54 Hinnoittelu (USD) [806219kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.04841
  • 11,000 pcs$0.04817

Osa numero:
GP10ME-E3/54
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - JFET, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Zener - Arrays and Tiristorit - DIAC, SIDAC ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GP10ME-E3/54 electronic components. GP10ME-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP10ME-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GP10ME-E3/54 Tuoteominaisuudet

Osa numero : GP10ME-E3/54
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Sarja : SUPERECTIFIER®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1000V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 1A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 3µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 1000V
Kapasitanssi @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-204AL, DO-41, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-204AL (DO-41)
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM