Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10GHE3_A/H

KEY Part #: K6439771

BYG10GHE3_A/H Hinnoittelu (USD) [618118kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05984
  • 7,200 pcs$0.05471

Osa numero:
BYG10GHE3_A/H
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214. Rectifiers 1.5A,400V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - JFET, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10GHE3_A/H electronic components. BYG10GHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10GHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10GHE3_A/H Tuoteominaisuudet

Osa numero : BYG10GHE3_A/H
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Avalanche
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 1.5A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 4µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101AW-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM

  • SD103BW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM

  • BYG22B-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD