VS-4EWH02FNTRR-M3 Hinnoittelu (USD) [312488kpl varastossa]
- 1 pcs$0.12490
- 3,000 pcs$0.12428
- Osa numero:
- VS-4EWH02FNTRR-M3
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Zener - Single, Transistorit - erityistarkoitus and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-4EWH02FNTRR-M3 electronic components. VS-4EWH02FNTRR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-4EWH02FNTRR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-4EWH02FNTRR-M3 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
VS-4EWH02FNTRR-M3
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
Sarja :
Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
4A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
950mV @ 4A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
20ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
3µA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajalaitteen paketti :
D-PAK (TO-252AA)
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
VS-8EWH02FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
-
VS-8EWH06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
-
-
VS-5EWL06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A D-PAK. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
-
VS-12EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURPOSE 600V 12A DPAK. Rectifiers Hyperfast 12A 600V 18ns
-
VS-6EWH06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A D-PAK. Rectifiers 6 Amp 600 Volt
Kuumat osat
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18