Vishay Semiconductor Diodes Division - BYX10GP-E3/73

KEY Part #: K6458087

BYX10GP-E3/73 Hinnoittelu (USD) [861948kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.04291
  • 9,000 pcs$0.03177

Osa numero:
BYX10GP-E3/73
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 1.6KV 360MA DO204. Rectifiers 1600 Volt 2.0 Amp Glass Passivated
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Transistorit - IGBT - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYX10GP-E3/73 electronic components. BYX10GP-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYX10GP-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYX10GP-E3/73 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BYX10GP-E3/73
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 1.6KV 360MA DO204
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 360mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 2A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 2µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 1600V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-204AL, DO-41, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-204AL (DO-41)
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM