Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. JANTX1N6628US

Microsemi Corporation - JANTX1N6628US

KEY Part #: K6447710

JANTX1N6628US Hinnoittelu (USD) [3548kpl varastossa]

  • 1 pcs$12.20707
  • 100 pcs$11.67562
Osa numero:
JANTX1N6628US
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B. Rectifiers Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Zener - Single and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6628US electronic components. JANTX1N6628US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6628US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6628US Tuoteominaisuudet

Osa numero : JANTX1N6628US
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/590
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 660V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.75A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.35V @ 2A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 30ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 2µA @ 660V
Kapasitanssi @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SQ-MELF, E
Toimittajalaitteen paketti : D-5B
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

Uusimmat uutiset

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Saatat myös olla kiinnostunut
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • FFSD08120A

    ON Semiconductor

    1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

  • RURD460S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

  • DSTD5200

    Littelfuse Inc.

    DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-252. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 5A

  • VS-8EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

Kuumat osat