Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. JAN1N5619US

Microsemi Corporation - JAN1N5619US

KEY Part #: K6427591

JAN1N5619US Hinnoittelu (USD) [8065kpl varastossa]

  • 1 pcs$5.13502
  • 100 pcs$5.10948
Osa numero:
JAN1N5619US
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tiristorit - SCR: t, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - IGBT - moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5619US electronic components. JAN1N5619US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5619US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5619US Tuoteominaisuudet

Osa numero : JAN1N5619US
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/429
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 3A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 250ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 500nA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : 25pF @ 12V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SQ-MELF, A
Toimittajalaitteen paketti : D-5A
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Uusimmat uutiset

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Saatat myös olla kiinnostunut
  • GP2D008A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L.

  • V35PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS

  • V35PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V20PWM60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

Kuumat osat