GF1MHE3/67A Hinnoittelu (USD) [458437kpl varastossa]
- 1 pcs$0.08068
- 6,000 pcs$0.07226
- Osa numero:
- GF1MHE3/67A
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Tiristorit - TRIACit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GF1MHE3/67A electronic components. GF1MHE3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GF1MHE3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GF1MHE3/67A Tuoteominaisuudet
Osa numero :
GF1MHE3/67A
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Sarja :
SUPERECTIFIER®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
1000V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 1A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
2µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-214BA
Toimittajalaitteen paketti :
DO-214BA (GF1)
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt
-
ES2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt
-
ES2FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
-
ES2FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
-
ES2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
ES2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD
Kuumat osat
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18