Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. GB10SLT12-252

GeneSiC Semiconductor - GB10SLT12-252

KEY Part #: K6454697

GB10SLT12-252 Hinnoittelu (USD) [15875kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.60550
  • 5,025 pcs$3.58756
Osa numero:
GB10SLT12-252
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V - 10A SiC Schottky Rect.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - JFET, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Transistorit - IGBT - moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252 electronic components. GB10SLT12-252 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB10SLT12-252, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB10SLT12-252 Tuoteominaisuudet

Osa numero : GB10SLT12-252
Valmistaja : GeneSiC Semiconductor
Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
Sarja : -
Osan tila : Not For New Designs
Diodin tyyppi : Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 2V @ 10A
Nopeus : No Recovery Time > 500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 0ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 250µA @ 1200V
Kapasitanssi @ Vr, F : 520pF @ 1V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajalaitteen paketti : TO-252
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 175°C
Saatat myös olla kiinnostunut
  • C4D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A

  • BAT54-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23.

  • BAS40-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23.

  • 1N4150W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SD103CW-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 20V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 20Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101BW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 1mA 50 Volt

Kuumat osat