Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. JAN1N6630U

Microsemi Corporation - JAN1N6630U

KEY Part #: K6442382

[3152kpl varastossa]

    Osa numero:
    JAN1N6630U
    Valmistaja:
    Microsemi Corporation
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6630U electronic components. JAN1N6630U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6630U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N6630U Tuoteominaisuudet

    Osa numero : JAN1N6630U
    Valmistaja : Microsemi Corporation
    Kuvaus : DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
    Sarja : Military, MIL-PRF-19500/590
    Osan tila : Active
    Diodin tyyppi : Standard
    Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 900V
    Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.4A
    Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.4A
    Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns
    Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 2µA @ 900V
    Kapasitanssi @ Vr, F : -
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : SQ-MELF, E
    Toimittajalaitteen paketti : D-5B
    Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

    Uusimmat uutiset

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.

    Kuumat osat