GeneSiC Semiconductor - 1N6097R

KEY Part #: K6425057

1N6097R Hinnoittelu (USD) [4539kpl varastossa]

  • 1 pcs$9.54375
  • 100 pcs$5.79996

Osa numero:
1N6097R
Valmistaja:
GeneSiC Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - JFET, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Zener - Single and Tehonohjaimen moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N6097R electronic components. 1N6097R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6097R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6097R Tuoteominaisuudet

Osa numero : 1N6097R
Valmistaja : GeneSiC Semiconductor
Kuvaus : DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Schottky, Reverse Polarity
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 30V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 50A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 700mV @ 50A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5mA @ 30V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Chassis, Stud Mount
Paketti / asia : DO-203AB, DO-5, Stud
Toimittajalaitteen paketti : DO-5
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C
Saatat myös olla kiinnostunut
  • FGD5T120SH

    ON Semiconductor

    IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.

  • FGD3N60UNDF

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 60W DPAK.

  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier