Valmistaja :
Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
950mV @ 1A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
35ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-219AB
Toimittajalaitteen paketti :
Sub SMA
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C