Valmistaja :
STMicroelectronics
Kuvaus :
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
69 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 100V
Tehon hajautus (max) :
2.8W (Ta), 189W (Tc)
Käyttölämpötila :
150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
PowerFlat™ (8x8) HV
Paketti / asia :
8-PowerVDFN