Vishay Siliconix - SIHP8N50D-E3

KEY Part #: K6393537

SIHP8N50D-E3 Hinnoittelu (USD) [113540kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.80275
  • 10 pcs$0.71161
  • 100 pcs$0.56247
  • 500 pcs$0.43621
  • 1,000 pcs$0.32577

Osa numero:
SIHP8N50D-E3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - RF, Tiristorit - SCR: t, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP8N50D-E3 electronic components. SIHP8N50D-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP8N50D-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP8N50D-E3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIHP8N50D-E3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 8.7A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 527pF @ 100V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 156W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220AB
Paketti / asia : TO-220-3