1N914TAP Hinnoittelu (USD) [4676071kpl varastossa]
- 1 pcs$0.00791
- 50,000 pcs$0.00664
- Osa numero:
- 1N914TAP
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 300mA
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - TRIACit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N914TAP electronic components. 1N914TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N914TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N914TAP Tuoteominaisuudet
Osa numero :
1N914TAP
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
300mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 10mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 75V
Kapasitanssi @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-204AH, DO-35, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
DO-35
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
1N4150W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SD103AW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO
-
SD101AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60 Volt
-
SL04-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Vrrm If(AV)1.1A 40A Ifsm eSMP
-
SL04-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Schottky SMF AEC-Q101 Qualified
Kuumat osat
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18