Microsemi Corporation - APT150GT120JR

KEY Part #: K6532574

APT150GT120JR Hinnoittelu (USD) [1738kpl varastossa]

  • 1 pcs$24.91627
  • 10 pcs$23.29982
  • 25 pcs$21.54901
  • 100 pcs$20.20220

Osa numero:
APT150GT120JR
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
IGBT 1200V 170A 830W SOT227.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - moduulit and Tehonohjaimen moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation APT150GT120JR electronic components. APT150GT120JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT150GT120JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT150GT120JR Tuoteominaisuudet

Osa numero : APT150GT120JR
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Sarja : Thunderbolt IGBT®
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : NPT
kokoonpano : Single
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 1200V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 170A
Teho - Max : 830W
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 150A
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : 150µA
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V
panos : Standard
NTC-termistori : No
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : ISOTOP
Toimittajalaitteen paketti : ISOTOP®

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.