NXP USA Inc. - PSMN8R0-30YL,115

KEY Part #: K6405814

[1535kpl varastossa]


    Osa numero:
    PSMN8R0-30YL,115
    Valmistaja:
    NXP USA Inc.
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single and Tiristorit - TRIACit ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in NXP USA Inc. PSMN8R0-30YL,115 electronic components. PSMN8R0-30YL,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN8R0-30YL,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN8R0-30YL,115 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : PSMN8R0-30YL,115
    Valmistaja : NXP USA Inc.
    Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK
    Sarja : TrenchMOS™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 62A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18.3nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1005pF @ 15V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 56W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : LFPAK56, Power-SO8
    Paketti / asia : SC-100, SOT-669