Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
RECT BRIDGE 800V 110A MTK
Rakenne :
Bridge, 3-Phase - All SCRs
SCR: ien, diodien lukumäärä :
6 SCRs
Jännite - Pois tila :
800V
Nykyinen - Päällä (Se (AV)) (Max) :
110A
Nykyinen - tila (se (RMS)) (maks.) :
-
Jännite - Gate Trigger (Vgt) (max) :
2.5V
Nykyinen - Gate Trigger (Igt) (max) :
150mA
Nykyinen - Ei rep. 50, 60 Hz (Itsm) :
1130A, 1180A
Nykyinen - pito (Ih) (maks.) :
200mA
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 125°C (TJ)
Asennustyyppi :
Chassis Mount