Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Integroidut piirit (IC)
  4. Muisti
  5. W947D6HBHX5E

Winbond Electronics - W947D6HBHX5E

KEY Part #: K941219

W947D6HBHX5E Hinnoittelu (USD) [34892kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.47634
Osa numero:
W947D6HBHX5E
Valmistaja:
Winbond Electronics
Yksityiskohtainen kuvaus:
IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 200MHz
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: PMIC - Valvojat, Tietojen hankinta - digitaaliset ja analogiset muu, Sulautetut - CPLD: t (monimutkaiset ohjelmoitavat , Data Acquisition - kosketusnäytön ohjaimet, Kello / ajastus - kellon generaattorit, PLL: t, ta, PMIC - Voltage Regulators - DC DC-kytkentäsäätimet, PMIC - Power Over Ethernet (PoE) -ohjaimet and Liitäntä - I / O-laajennukset ...
Kilpailuetu:
We specialize in Winbond Electronics W947D6HBHX5E electronic components. W947D6HBHX5E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D6HBHX5E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D6HBHX5E Tuoteominaisuudet

Osa numero : W947D6HBHX5E
Valmistaja : Winbond Electronics
Kuvaus : IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
Sarja : -
Osan tila : Active
Muistityyppi : Volatile
Muistimuoto : DRAM
tekniikka : SDRAM - Mobile LPDDR
Muistin koko : 128Mb (8M x 16)
Kellotaajuus : 200MHz
Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 15ns
Kirjautumisaika : 5ns
Muistiliitäntä : Parallel
Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.95V
Käyttölämpötila : -25°C ~ 85°C (TC)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 60-TFBGA
Toimittajalaitteen paketti : 60-VFBGA (8x9)

Uusimmat uutiset

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Saatat myös olla kiinnostunut
  • NDS73PT9-16ET

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • IS25WP128-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON.

  • W25Q256JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q256JVEIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • 25AA1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

Kuumat osat