Infineon Technologies - IDC10D120T6MX1SA1

KEY Part #: K6440003

IDC10D120T6MX1SA1 Hinnoittelu (USD) [49745kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.78603

Osa numero:
IDC10D120T6MX1SA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - TRIACit and Tiristorit - SCR: t ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IDC10D120T6MX1SA1 electronic components. IDC10D120T6MX1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDC10D120T6MX1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDC10D120T6MX1SA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IDC10D120T6MX1SA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 15A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 2.05V @ 15A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 3.5µA @ 1200V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : Die
Toimittajalaitteen paketti : Sawn on foil
Käyttölämpötila - liitos : -40°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • MMBD4448

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast

  • MMBD1501A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • BAT54W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123.

  • 1N4151W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 500mA 2ns

  • BAT46W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 100Volt 150mA 750mA AUTO