Microsemi Corporation - APT64GA90B2D30

KEY Part #: K6421738

APT64GA90B2D30 Hinnoittelu (USD) [6891kpl varastossa]

1 pcs$5.98030
10 pcs$5.43736
25 pcs$5.02944
100 pcs$4.62171
250 pcs$4.21392
500 pcs$3.94206

Osa numero:: APT64GA90B2D30

Valmistaja:: Microsemi Corporation

Yksityiskohtainen kuvaus:: IGBT 900V 117A 500W TO-247.

Valmistajan vakio läpimenoaika:: Varastossa

Kestoaika:: Yksi vuosi

Chip From:: Hongkong

RoHS:

Maksutapa:

Lähetyksen tapa:

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single and Tiristorit - SCR: t ...

Kilpailuetu:: We specialize in Microsemi Corporation APT64GA90B2D30 electronic components. APT64GA90B2D30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT64GA90B2D30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT64GA90B2D30 Tuoteominaisuudet

Osa numero : APT64GA90B2D30

Valmistaja : Microsemi Corporation

Kuvaus : IGBT 900V 117A 500W TO-247

Sarja : POWER MOS 8™

Osan tila : Active

IGBT-tyyppi : PT

Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 900V

Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 117A

Nykyinen - keräilijän pulssi (Icm) : 193A

Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 3.1V @ 15V, 38A

Teho - Max : 500W

Energian vaihtaminen : 1192µJ (on), 1088µJ (off)

Syötteen tyyppi : Standard

Gate Charge : 162nC

Td (päälle / pois) @ 25 ° C : 18ns/131ns

Testiolosuhteet : 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V

Käänteinen palautumisaika (trr) : -

Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi : Through Hole

Paketti / asia : TO-247-3 Variant

Toimittajalaitteen paketti : -

Uusimmat uutiset

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Saatat myös olla kiinnostunut

FGD3N60LSDTM

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 40W DPAK.
FDV301N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.
SSM3J325F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.
BSS138

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.
BSS123NH6433XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.
BSS7728NH6327XTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.